近几年语音芯片技术上的突破有哪些

90年代以来，人们一直十分关注集成电路【语音芯片】发展的两大问题，一是集成电路能否继续沿着摩尔（Moore）定律（每3年芯片集成度增加4倍，特征尺寸减小30%）高速发展；二是语音芯片加工尺寸和硅微电子器件尺寸的极限在哪里。

美国半导体工业协会（SIA）于1994年首次组织专家进行研究，制订了半导体技术发展指南，后来又几经修订，最近修订的1999年国际半导体技术发展指南（ITRS）如图1所示。按照ITRS，从1999到2011年，集成电路仍将按摩尔定律持续高速发展，预测到2011年语音芯片的特征尺寸为50纳米（nm）。对于2012年以后半导体技术发展速度及芯片特征尺寸的极限问题，目前仍在继续探索。
事实上，当语音芯片特征尺寸接近100nm时，芯片制造的复杂性和难度很大，制造方法至今仍有相当大的不确定性，要实现ITRS的要求还有大量的研发工作要做。
因此，国际半导体设备及材料协会（SEMI）在今年7月举办的SEMICON West 2000展览会期间，召开了一系列技术研讨会，讨论了130nm乃至更小尺寸的语音芯片制造技术的新进展。特别值得重视的有三项技术：下一代光刻技术、铜互连技术和低K（介电常数）介电材料技术。

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